截至2026年9月3日 13:26，科创芯片设计ETF易方达(589030)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)下跌1.32%。

消息面上，日前，三星电子宣布，计划将下一代HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍，将以3D结构创新为核心争夺下一代存储器市场主导权。针对大语言模型所需的大容量存储器需求，三星还在推进zNAND-O的开发。

天风证券（维权）认为，行业龙头将先进制程产能优先投向HBM，挤压消费电子所需的DRAM和NAND产能，形成“高端紧缺+成熟收缩”的双层供需紧张。后续行业将形成“HBM最为紧缺、服务器DRAM紧随其后、NAND率先分化”的格局，HBM受制程、堆叠、先进封装等条件限制，供给难以快速释放，服务器DRAM受产能倾斜挤压、叠加数据中心需求回暖，供需持续偏紧。

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