谦合益邦发布全球首款4层3DDRAM堆叠存算一体芯片
创始人
2026-08-21 16:03:32
观点网讯：2026年8月21日，3D存算一体芯片企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款4层3DDRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着该芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。
该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3DDRAM堆叠技术，在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成。
通过将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，该技术从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的“内存墙”瓶颈。
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