芯联集成申请半导体器件相关专利,半导体器件制备解决寄生晶体管易开启问题
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2026-07-04 09:25:42

7月4日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利。申请公布号为CN122340887A,申请号为CN202610400260.0,申请公布日期为2026年7月3日,申请日期为2026年3月30日,发明人田淑芳、赵晓燕、黄艳,专利代理机构苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师李洋、刘鹤,分类号H10D84/01、H10D84/40、H10D64/27、H10D89/60。

专利摘要显示,本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件,其中方法包括:提供具有第一导电类型的半导体材料层,半导体材料层包括第一器件区和第二器件区;在第一器件区内形成第一阱区和第二阱区;在第二器件区内形成第二沟槽、第二介质层和第二半导体结构的工艺过程中在第一器件区内形成第一沟槽、第一介质层和第一半导体结构;其中,第一阱区和第二阱区分别具有第二导电类型和第一导电类型,第二阱区、第一阱区和半导体材料层形成寄生晶体管,第一半导体结构和第二半导体结构具有第一导电类型;在半导体材料层上形成导电互联结构,导电互联结构使得第一阱区与第一半导体结构导电连接;如此,解决了寄生晶体管易被开启的问题。

芯联集成于2018年3月9日成立,于2023年5月10日在上海证券交易所上市,注册地和办公地均为浙江省绍兴市。该公司是国内在MEMS和功率器件领域提供一站式系统代工解决方案的领先企业。

芯联集成主营业务为MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务,为客户提供一站式系统代工解决方案。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,所属概念板块有碳化硅、MCU概念、汽车芯片。

2025年,芯联集成营业收入81.8亿元,在行业7家公司中排名第5,远低于第一名中芯国际的673.23亿元和第二名华虹宏力的172.91亿元,也低于行业平均数166.12亿元和中位数108.85亿元。其主营业务中,集成电路晶圆制造代工59.83亿元,占比73.15%;模组封装15.08亿元,占比18.43%;研发服务及其他3.98亿元,占比4.87%;其他(补充)2.9亿元,占比3.55%。净利润方面,2025年为 -19.33亿元,在行业7家公司中排名第7,与第一名中芯国际的72.09亿元和第二名赛微电子的13.88亿元差距明显,低于行业平均数9.67亿元和中位数4.66亿元。

芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610613072.62026-05-07CN122161437A2026-06-05于贝贝、张俊龙、王琛
2半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610603325.12026-05-06CN122138453A2026-06-02黄艳、赵晓燕
3晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法发明专利公布CN202610504645.12026-04-16CN122341221A2026-07-03李悦、眭小超
4半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利公布CN202610420503.72026-04-01CN122340816A2026-07-03王强、孙金山、顾学强、宋苗苗
5半导体器件的制备方法、半导体器件及芯片发明专利公布CN202610404592.62026-03-30CN122318834A2026-06-30徐鹏、张偲、王天然、张俊龙
6半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利公布CN202610400260.02026-03-30CN122340887A2026-07-03田淑芳、赵晓燕、黄艳
7深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器发明专利实质审查的生效、公布CN202610370329.X2026-03-25CN122180083A2026-06-09林笛、赵晓燕、张子文
8电容麦克风、半导体结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610365274.32026-03-24CN122054060A2026-05-15傅思宇、姚阳文
9封装打线应力监测结构、芯片封装结构及封装打线应力的监测方法发明专利公布CN202610350219.72026-03-20CN122318819A2026-06-30张坦、李婧、吴桥伟
10半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340887.12026-03-19CN122227653A2026-06-16赵冰、赵晓燕、黄艳
11LDMOS器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340345.42026-03-19CN122227629A2026-06-16李宏伟
12霍尔器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610321598.72026-03-17CN121888864A2026-04-17黄艳、赵晓燕
13套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀
14半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备发明专利公布CN202610319423.22026-03-16CN122318295A2026-06-30黄艳、赵晓燕
15MEMS结构及其制备方法和测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610263262.X2026-03-05CN122102048A2026-05-29王红海
16半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610264470.12026-03-05CN122301116A2026-06-30王曦
17一种霍尔元件发明专利实质审查的生效、公布CN202610252635.32026-03-03CN122121538A2026-05-29李宏伟
18DUP器件的焊盘结构及其打线方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610252633.42026-03-03CN122121712A2026-05-29李宏伟
19MEMS微镜及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610242335.72026-02-28CN122218940A2026-06-16毕丽丽、罗传鹏
20半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610235585.82026-02-27CN122121255A2026-05-29黄艳、赵晓燕、石磊
21垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206631.12026-02-12CN122068361A2026-05-19靳闪闪、何琼
22一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610201260.82026-02-11CN122054671A2026-05-15黄艳、赵晓燕
23滤波器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191106.72026-02-10CN122119555A2026-05-29穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋
24MEMS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋
25MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610161355.12026-02-04CN122054059A2026-05-15王鹏
26高压电容隔离器及其制造方法发明专利授权CN202610156455.52026-02-04CN121645907B2026-05-26徐涛、王旭、刘晓雪
27半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610144599.92026-02-02CN122054611A2026-05-15张子文、赵晓燕、林笛
28深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭
29用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075821.42026-01-20CN122028704A2026-05-12李忠仁、赵晓燕、何启庆
30负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩
31封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能
32一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶
33电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511994584.32025-12-26CN121772735A2026-03-31黄艳、赵晓燕、钟鹏
34一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511980858.32025-12-25CN121712052A2026-03-20叶强飞、黎哲、何云、罗顶
35输出芯片及光控继电器发明专利实质审查的生效、公布CN202511953919.72025-12-23CN121814072A2026-04-07李宝杰、任文珍、丛茂杰
36一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511882683.22025-12-15CN121310023B2026-04-14傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文
37一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511868002.72025-12-11CN121645906A2026-03-10秦永山、王旭
38晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202511867408.32025-12-11CN121682332A2026-03-17王颖、康栋、李鹏、孙海丽
39一种MEMS加速度计及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511852166.02025-12-10CN121276091A2026-01-06马玉莎、张兆林、王红海
40屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法发明专利公布CN202511837217.22025-12-08CN121645929A2026-03-10刘书晓、周圣杰
41高压半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511834633.72025-12-08CN121310568B2026-03-24谢仕源、吴荣成、白鑫、耿爽
42麦克风及其制造方法发明专利授权CN202511824007.X2025-12-05CN121262521B2026-03-31唐丽文
43产品检测方法、装置、存储介质和电子设备发明专利授权CN202511823575.82025-12-05CN121276286B2026-05-01孙海丽、康栋、王颖、李鹏
44RC-IGBT及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511808670.02025-12-03CN121310558A2026-01-09唐伟闻、余龙
45纳米探针的修复方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810106.22025-12-03CN121522223A2026-02-13李帅
46用于CESL特性测试的测试版图及测试结构发明专利公布CN202511764655.02025-11-27CN121568558A2026-02-24吴桥伟
47基片背面缺陷标记方法及标记设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511753460.62025-11-26CN121616539A2026-03-06张良敏、许大建
48虚拟量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511742208.52025-11-25CN121598081A2026-03-03康栋、孙海丽、王颖、李鹏
49半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511682862.12025-11-17CN121548044A2026-02-17孔孟书、孙金山、顾学强、陈为立、徐剑
50提高键合晶圆机械强度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511671695.02025-11-14CN121493865A2026-02-10陆晓龙、王红海、姚阳文

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