1月10日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法”的专利。申请公布号为CN121310868A，申请号为CN202511399762.8，申请公布日期为2026年1月9日，申请日期为2025年9月28日，发明人方一栋、缪燃、唐鸿钦，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号H10P70/00、B08B3/12、B08B3/02、B08B3/08。

专利摘要显示，本发明涉及一种硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法，所属半导体制造技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片进行单面减薄；减薄过程采用机械研磨或化学机械抛光。第二步：硅片进行整体清洗；采用RCA清洗法、去离子水冲洗或超声波清洗。第三步：采用兆声清洗，对硅片边缘进行清洗。第四步：对硅片进行烘干，通过旋转干燥、异丙醇蒸气干燥或加热氮气烘干。具有操作便捷和清洗效果好的优点。解决了硅片背面一圈有污迹的问题，使硅片不用在流转到下一到才去解决。通过物理与化学结合的方式，去除背面残留物，同时避免对硅片造成二次污染或损伤。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本503225.6776万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息393条，拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

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