SK海力士HBM4测试良率突破70%,量产进入倒计时
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2025-02-27 10:56:50
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来源:环球网

【环球网科技综合报道】2月27日消息,据韩媒ETNews报道,SK海力士第六代12层堆叠高带宽内存(HBM4)的测试良率已成功突破70%,标志着该产品已具备量产的坚实基础,并在激烈的市场竞争中占据有利位置。

据悉,SK海力士的12层堆叠HBM4在2024年年底的良率已达到60%,而此次最新消息显示,其测试良率已进一步提升至70%,展现了SK海力士在半导体技术研发和生产方面的强劲实力。

SK海力士HBM4的进展迅速,得益于其第五代10nm级DRAM(1b)的成功应用。该技术在性能和稳定性方面已经过充分验证,并成功应用于SK海力士的HBM3e产品中。鉴于HBM3E曾实现80%的高目标良率,并大幅缩短了50%的量产时间,业内人士普遍预测,HBM4的12层堆叠产品也将迅速进入量产阶段。

目前,SK海力士已完成HBM4的内部技术开发和评估工作,即将提供样品供客户进行性能测试。一旦测试通过,SK海力士将立即启动量产计划,以满足市场对高性能内存产品的迫切需求。

值得一提的是,12层堆叠HBM4有望被部署在英伟达下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。此前有消息称,英伟达计划提前至2025年下半年量产“Grace Hopper”系列,这将进一步促使SK海力士加快提升HBM4的良率和量产进程,以确保产品能够按时交付并满足英伟达等客户的需求。(纯钧)

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