（来源：财闻）

三星电子拟将HBM5性能提升至HBM4E的2倍，zHBM达8倍，并推进zNAND-O研发，依托3D架构及CUBE战略争夺AI存储器主导权。

9月1日，据财闻海外资讯，在SEMICON Taiwan 2026存储器高管峰会上，三星电子DS事业部存储器业务部产品企划团队长崔长锡常务公布了下一代存储器战略。公司计划将HBM5性能提升至HBM4E的2倍，每瓦性能提升20%，热阻降低20%，以匹配AI加速器需求。后续迭代的zHBM目标性能达HBM4E的8倍，每瓦性能提升3倍，热阻降低75-90%。

针对大语言模型（LLM）需求，三星推进zNAND-O研发，目标比特密度达DRAM的10倍，读取带宽与能效相比传统NAND闪存各提升7倍，计划2028年启动zNAND-O样品供货。

三星将该思路归纳为“CUBE战略”（Capacity容量、Utilization优化、Bandwidth带宽、Efficiency功耗与散热效率），核心是利用3D架构实现容量、带宽、功耗散热效率同步提升，而非简单垂直堆叠。崔长锡常务强调，3D技术终极目标是降低移动单比特数据消耗能量，最大化每瓦性能。三星计划扩充产品线覆盖新一代zHBM、zNAND-O等，强化AI存储器市场主导地位。