7月4日消息,国家知识产权局信息显示,江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅高压瞬态电压抑制器件及其制造方法”的专利。申请公布号为CN122340831A,申请号为CN202610815337.0,申请公布日期为2026年7月3日,申请日期为2026年6月8日,发明人朱伟东、赵泊然,专利代理机构常州赛创专利代理事务所(普通合伙),专利代理师丁涛,分类号H10D8/20、H10D62/10、H10D8/01。
专利摘要显示,本发明涉及一种碳化硅高压瞬态电压抑制器件及其制造方法,属于功率半导体技术领域。器件包括第一导电类型碳化硅衬底、第一导电类型漂移区、第二导电类型基区、多个第二导电类型触发区、第一导电类型电流扩展区、电场调控结构以及电极结构。多个触发区构成分布式导通单元,在浪涌条件下形成多个并行导通路径;基区通过其电阻特性控制载流子注入效率,使器件工作于受控双极导通模式,从而在降低动态电阻的同时抑制寄生双极结构的正反馈导通;电流扩展区引导电流在漂移区内横向扩展。本发明采用无沟槽平面结构,具有动态电阻低、浪涌能力高、芯片面积小、可靠性高等优点,适用于新能源汽车、光伏储能及工业高压电源等领域的过压保护。
天眼查数据显示,江苏应能微电子股份有限公司成立日期2012年3月22日,法定代表人ZHU PHILLIP WEIDONG,所属行业为研究和试验发展,企业规模为小型,注册资本4286.5339万人民币,实缴资本4286.5339万人民币,注册地址为常州市天宁区创智路5号4号楼(8层、9层)。江苏应能微电子股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目15次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息119条,拥有行政许可11个。
江苏应能微电子股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种碳化硅高压瞬态电压抑制器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610815337.0 | 2026-06-08 | CN122340831A | 2026-07-03 | 朱伟东、赵泊然 |
| 2 | 一种高浪涌能力的沟槽势垒肖特基器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610693592.2 | 2026-05-20 | CN122248745A | 2026-06-19 | 朱伟东、赵泊然 |
| 3 | 一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器 | 发明专利 | 授权 | CN202610461489.5 | 2026-04-09 | CN121985590B | 2026-06-30 | 朱伟东、赵泊然 |
| 4 | 一种微型单体封装电子保护结构及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610352324.4 | 2026-03-23 | CN121925156B | 2026-06-19 | 朱伟东、赵泊然 |
| 5 | 纵向SCR型瞬态过压保护器件 | 发明专利 | 授权 | CN202610313890.4 | 2026-03-16 | CN121888620B | 2026-05-26 | 朱伟东、赵泊然 |
| 6 | 一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610296786.9 | 2026-03-12 | CN121843143B | 2026-05-22 | 朱伟东、赵泊然 |
| 7 | 一种沟槽式功率MOSFET及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610206231.0 | 2026-02-12 | CN122121202A | 2026-05-29 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 8 | 适用中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610184357.2 | 2026-02-09 | CN122121212A | 2026-05-29 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 9 | 一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511876860.6 | 2025-12-12 | CN121728802A | 2026-03-24 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 10 | 用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件 | 发明专利 | 授权 | CN202511309274.3 | 2025-09-15 | CN120812966B | 2025-11-18 | 朱伟东、赵泊然 |
| 11 | 一种改善开关损耗的沟槽式MOSFET器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510796831.2 | 2025-06-16 | CN120321986A | 2025-07-15 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 12 | 一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510774266.X | 2025-06-11 | CN120282541B | 2025-08-26 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 13 | 用于防护雷击的压敏电阻夹层模组集成结构 | 发明专利 | 授权 | CN202510592406.1 | 2025-05-09 | CN120417465B | 2026-02-17 | 朱伟东、赵泊然 |
| 14 | 一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411329890.0 | 2024-09-24 | CN118841450B | 2024-12-17 | 孙明光、李振道、朱伟东 |
| 15 | 一种自适应超结LDMOS结构 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411081577.X | 2024-08-08 | CN118782654B | 2025-04-08 | 孙明光、李振道、朱伟东 |
| 16 | 一种用于抗闩锁的高压ESD保护器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410982344.0 | 2024-07-22 | CN118522769B | 2024-10-01 | 朱伟东、赵泊然 |
| 17 | 用于ESD防护的高掺杂多晶硅器件与工艺 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410718845.8 | 2024-06-05 | CN118299408B | 2024-08-02 | 朱伟东、赵泊然 |
| 18 | 用于ESD防护的双模灵敏检测瞬态触发电路 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202410480761.5 | 2024-04-22 | CN118074085A | 2024-05-24 | 朱伟东、赵泊然 |
| 19 | 一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202410239174.7 | 2024-03-04 | CN117832093B | 2024-05-10 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 20 | 一种自适应超结沟槽式MOSFET器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311401481.2 | 2023-10-26 | CN117133791B | 2024-01-26 | 孙明光、李振道、朱伟东 |
| 21 | 双齐纳阱SCR器件、制造工艺及其堆叠结构 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311282644.X | 2023-10-07 | CN117038720B | 2024-01-26 | 朱伟东、赵泊然 |
| 22 | 具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311083616.5 | 2023-08-28 | CN116799070B | 2023-11-17 | 孙明光、李振道、朱伟东 |
| 23 | 一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311076280.X | 2023-08-25 | CN116825850B | 2023-11-17 | 孙明光、李振道、朱伟东 |
| 24 | 开关电源导通时间控制电路、方法和开关电源 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310912685.6 | 2023-07-25 | CN116647098B | 2023-10-03 | 李征、赵泊然、朱伟东 |
| 25 | 一种超低电容双向SCR-TVS器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310862496.2 | 2023-07-14 | CN116598309A | 2023-08-15 | 朱伟东、赵泊然 |
| 26 | 一种垂直型双向SCR低电容TVS器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310862502.4 | 2023-07-14 | CN116581122B | 2023-09-12 | 朱伟东、赵泊然 |
| 27 | 具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310816523.2 | 2023-07-05 | CN116525663B | 2023-09-12 | 李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然 |
| 28 | 一种三维超结LDMOS结构及其制作方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310793099.4 | 2023-06-30 | CN116525655A | 2023-08-01 | 孙明光、李振道、朱伟东、赵泊然 |
| 29 | 加强型屏蔽闸沟槽式功率金氧半场效晶体管 | 实用新型 | 授权 | CN202321650322.1 | 2023-06-27 | CN220106545U | 2023-11-28 | 李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然 |
| 30 | 电机转子角度信息识别方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310670645.5 | 2023-06-08 | CN116404916A | 2023-07-07 | 曹元、朱伟东、吴琦 |
| 31 | 内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310594164.0 | 2023-05-25 | CN116314341B | 2023-08-08 | 朱伟东、赵泊然、李振道、孙明光 |
| 32 | 一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310540946.6 | 2023-05-15 | CN116259544B | 2023-08-08 | 李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然 |
| 33 | 开关变换器控制电路、控制方法及电源设备 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310524618.7 | 2023-05-11 | CN116247908B | 2023-07-28 | 李征、赵泊然、朱伟东 |
| 34 | 电源设备及用于电源芯片的工作模式配置电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310505858.2 | 2023-05-08 | CN116247933B | 2023-07-25 | 李征、赵泊然、朱伟东 |
| 35 | 一种基于Resurf效应的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310385852.6 | 2023-04-12 | CN116110944A | 2023-05-12 | 朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道 |
| 36 | 一种低寄生电容焊盘 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310385849.4 | 2023-04-12 | CN116110872A | 2023-05-12 | 朱伟东、赵泊然 |
| 37 | 一种栅控Resurf高压LDMOS结构 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310376829.0 | 2023-04-11 | CN116110955B | 2023-06-27 | 朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道 |
| 38 | 一种分段式分离栅SGTMOSFET结构 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310381286.1 | 2023-04-11 | CN116093146B | 2024-02-20 | 朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道 |
| 39 | 具有高维持电压的低电容双向SCR瞬态抑制器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310371412.5 | 2023-04-10 | CN116093153B | 2023-07-21 | 朱伟东、赵泊然 |
| 40 | 一种电压钳位组合器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310343608.3 | 2023-04-03 | CN116093912A | 2023-05-09 | 朱伟东、赵泊然 |
| 41 | 碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法 | 发明专利 | 授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布 | CN202211118851.7 | 2022-09-15 | CN115440822B | 2023-08-22 | 李振道、孙明光 |
| 42 | 碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法 | 发明专利 | 授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布 | CN202211081391.5 | 2022-09-06 | CN115172457B | 2024-05-03 | 李振道、孙明光 |
| 43 | 具有高维持电压的瞬态电压抑制保护器件及静电放电电路 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202210098666.X | 2022-01-27 | CN114121944B | 2022-05-17 | 朱伟东、赵泊然 |
| 44 | 具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202210098555.9 | 2022-01-27 | CN114121943B | 2022-05-17 | 朱伟东、赵泊然 |
| 45 | 降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构 | 实用新型 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权 | CN202220184870.9 | 2022-01-24 | CN216648324U | 2022-05-31 | 朱伟东、赵泊然、王晓荣 |
| 46 | 一种自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202111325282.9 | 2021-11-10 | CN113764406B | 2022-03-01 | 朱伟东、赵泊然 |
| 47 | 具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件及其制作方法 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202111281199.6 | 2021-11-01 | CN113725213B | 2022-03-01 | 朱伟东、赵泊然 |
| 48 | 一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202111122643.X | 2021-09-24 | CN113571421B | 2021-12-24 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 49 | 具有网格状阴阳极沟槽结构的瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202111047867.9 | 2021-09-08 | CN113488464B | 2021-12-07 | 朱伟东、赵泊然 |
| 50 | 沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202111047854.1 | 2021-09-08 | CN113497032B | 2022-01-25 | 朱伟东、赵泊然 |
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