韦尔股份取得芯片封装相关专利,MOSFET与控制芯片合封,减少PCB使用面积
创始人
2026-06-10 09:13:08

6月10日消息,国家知识产权局信息显示,上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种芯片封装结构”的专利,授权公告号CN224343773U,授权公告日为2026年6月9日。申请号为CN202520843790.3,申请公布日期为2026年6月9日,申请日期为2025年4月28日,发明人诸舜杰、董建新,专利代理机构深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师张海燕,分类号H10W74/10、H10W72/00、H10D80/20、H10D80/30。

专利摘要显示,本申请实施例提供了一种芯片封装结构,将MOSFET与控制芯片进行合封,原本两个独立元器件所占据的空间被整合为一个相对紧凑的封装结构,在设计PCB时,无需为两个独立元器件预留较大间隔和空间,可显著减少PCB的整体使用面积。

天眼查数据显示,上海韦尔半导体股份有限公司成立日期2007年5月15日,法定代表人高文宝,所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业,企业规模为大型,注册资本121442.6982万人民币,实缴资本126107.4075万人民币,注册地址为中国(上海)自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层。上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了46家企业,参与招投标项目11次,财产线索方面有商标信息59条,专利信息218条,拥有行政许可18个。

上海韦尔半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种新型分裂栅功率MOSFET器件的制备方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610230022.X2026-02-26CN122054628A2026-05-15党晓军、董建新、衷世雄
2一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610189569.X2026-02-10CN122028508A2026-05-12李登辉、许成宗、刘岚莘
3一种双向超低容纵向NPN特性瞬态电压抑制器件发明专利公布CN202610161837.72026-02-04CN122094185A2026-05-26李登辉、许成宗、刘岚莘、韩业星
4一种纵向低容高压单向TVS器件的制造方法及器件发明专利公布CN202610097861.92026-01-24CN122094184A2026-05-26刘凯哲、顾起帆、蔡燕楠、许成宗
5一种可调斜率的电源自动化测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037465.52025-12-31CN122043299A2026-05-15张潇、刘飞扬
6一种低电容瞬态抑制保护器件发明专利公布CN202511805721.42025-12-03CN121665687A2026-03-13韩业星、许成宗
7一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202511157153.12025-08-19CN121013371A2025-11-25曹培明、董建新
8一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图发明专利公布CN202511112814.92025-08-09CN120957433A2025-11-14方镇东、诸舜杰、杨慧玲、薛华瑞
9一种瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510702590.02025-05-28CN120659394A2025-09-16李登辉、许成宗、刘凯哲
10一种芯片并联封装方法及并联封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510642104.02025-05-19CN120613271A2025-09-09方镇东、门淑芳
11一种MOS芯片并联封装结构实用新型授权CN202520986841.82025-05-19CN224343676U2026-06-09王健伊、门淑芳
12一种芯片封装结构实用新型授权CN202520843790.32025-04-28CN224343773U2026-06-09诸舜杰、董建新
13一种单向低容瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510540948.42025-04-27CN120152387A2025-06-13李登辉、许成宗、刘凯哲
14一种功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202510420186.42025-04-03CN120264855A2025-07-04薛华瑞、董建新
15一种功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202520632927.02025-04-03CN224007006U2026-03-17薛华瑞、董建新
16一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510271360.32025-03-08CN120091616A2025-06-03薛华瑞、阮孟波
17一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202520406177.52025-03-08CN224007000U2026-03-17薛华瑞、阮孟波
18一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510261571.92025-03-06CN120111910A2025-06-06张峰、董建新
19一种浮空注入型功率MOSFET器件实用新型授权CN202520332356.92025-02-27CN224006999U2026-03-17党晓军、董建新、衷世雄
20一种安全工作区MOSFET器件的制备方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510205431.X2025-02-24CN120129297A2025-06-10薛华瑞、董建新
21一种屏蔽栅沟槽MOSFET版图及器件实用新型授权CN202520197353.92025-02-08CN224006998U2026-03-17薛华瑞、董建新
22一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202520197895.62025-02-08CN224083958U2026-04-03党晓军、董建新、衷世雄
23电流感测放大器发明专利公布CN202510123203.82025-01-26CN121814040A2026-04-07木村宏之
24电流感测放大器发明专利公布CN202510123387.82025-01-26CN121814041A2026-04-07木村宏之
25一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202520153818.02025-01-22CN224006997U2026-03-17曹培明、衷世雄、董建新
26一种共漏极双MOSFET器件实用新型授权CN202423222814.82024-12-25CN223772423U2026-01-06诸舜杰、董建新
27共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件发明专利授权CN202411921564.92024-12-25CN119815857B2026-01-06诸舜杰、董建新
28一种半导体封装结构实用新型授权CN202422815330.82024-11-18CN223513965U2025-11-04吴旸、俞江彬、周万建、姚力
29一种芯片封装结构实用新型授权CN202422467982.72024-10-11CN223308991U2025-09-05陈泽洋、俞江彬、周万建
30一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利公布CN202411155855.12024-08-22CN118841323A2024-10-25张峰、诸舜杰
31输出电路发明专利实质审查的生效、公布CN202411126829.62024-08-16CN121012487A2025-11-25石田学
32电压调节器发明专利公布CN202411126827.72024-08-16CN121028940A2025-11-28石田学
33半导体集成电路发明专利公布CN202411126626.72024-08-16CN121055790A2025-12-02相浦正巳
34一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图实用新型授权CN202421990059.52024-08-15CN223108363U2025-07-15薛华瑞、董建新
35负载驱动电路发明专利公布CN202411091349.02024-08-09CN121012328A2025-11-25木村宏之
36桥接电路发明专利公布CN202411091133.42024-08-09CN121012492A2025-11-25相浦正巳
37一种带保险丝芯片封装结构实用新型授权CN202421896262.62024-08-06CN223092890U2025-07-11李登辉、陈泽洋、黄智、赵金龙
38一种高保持电流瞬态电压抑制器件实用新型授权CN202421650230.82024-07-11CN223110415U2025-07-15李登辉、许成宗
39一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410803538.X2024-06-20CN121218661A2025-12-26付霄荧、衷世雄、钟添宾
40一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202421403433.72024-06-18CN222776520U2025-04-18党晓军、董建新、衷世雄、陈嘉聪
41一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410787966.82024-06-18CN121174540A2025-12-19党晓军、董建新、衷世雄
42一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法及阶梯开启屏蔽栅MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410717885.02024-06-04CN118610258A2024-09-06党晓军、董建新、衷世雄
43一种功率器件的制备方法及功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410710543.62024-06-03CN118486596A2024-08-13党晓军、董建新、衷世雄
44一种宽安全工作区分裂栅器件的制备方法及宽安全工作区分裂栅器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410691737.62024-05-30CN118658784A2024-09-17党晓军、包武
45一种双向低容NPN特性瞬态电压抑制器件及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202410691736.12024-05-30CN118658892A2024-09-17李登辉、许成宗、顾起帆、蔡燕楠
46一种屏蔽栅功率器件的制备方法及屏蔽栅功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410674167.X2024-05-28CN118538610A2024-08-23党晓军、董建新、衷世雄
47一种MOS芯片封装结构实用新型授权CN202421196596.22024-05-28CN222581167U2025-03-07陈泽洋、俞江彬、周万建
48一种双向低容低钳位电压抑制保护器件实用新型授权CN202420456580.42024-03-08CN222532103U2025-02-25李登辉、许成宗、刘凯哲
49张弛振荡器发明专利公布CN202410207729.X2024-02-26CN120357869A2025-07-22木村宏之
50电流感测放大器发明专利实质审查的生效、公布CN202410207728.52024-02-26CN120357854A2025-07-22木村宏之

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文由AI大模型基于公开信息生成,不代表Hehson财经观点。文中所有信息、数据及图表仅供参考,不构成任何形式的投资建议或决策依据,相关信息以实际公告为准。如有疑问,请联系:biz@staff.sina.com.cn。

相关内容

热门资讯

东莞证券北交所基金观察(260... 美东时间6月5日,美国劳工部统计局(BLS)发布 5 月非农就业报告新增非农就业人数为17.2 万,...
海思科股价涨3.05%,工银瑞... 6月10日,海思科涨3.05%,截至发稿,报48.70元/股,成交1.09亿元,换手率0.42%,总...
海思科股价涨3.05%,中信建... 6月10日,海思科涨3.05%,截至发稿,报48.70元/股,成交1.10亿元,换手率0.43%,总...
开发科技股价跌3.29%,创金... 6月10日,开发科技跌3.29%,截至发稿,报39.68元/股,成交1783.62万元,换手率0.2...
江丰电子股价涨3.27%,创金... 6月10日,江丰电子涨3.27%,截至发稿,报232.23元/股,成交26.78亿元,换手率5.35...