东芯股份取得上电检测电路相关专利,上电检测电路完成电压检测、延迟与锁存
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2026-05-08 09:30:57

5月8日消息,国家知识产权局信息显示,东芯半导体股份有限公司申请一项名为“上电检测电路及上电检测方法”的专利,授权公告号CN119811459B,授权公告日为2026年5月5日。申请公布号为CN119811459A,申请号为CN202411962901.9,申请公布日期为2026年5月5日,申请日期为2024年12月30日,发明人胡嘉伦,专利代理机构上海专利商标事务所有限公司,专利代理师陆婷,分类号G11C29/12、G11C5/14。

专利摘要显示,本发明提供一种上电检测电路,其特征在于,包括:电源检测部,所述电源检测部从外部的电源输入外部电源信号,从芯片的内部电源输入比所述外部电源信号的电压要高的高电压信号,对所述高电压信号进行检测,得到与所述外部电源信号的电压相同的高电压检测信号;延迟部,所述延迟部对从所述电源检测部输入的所述高电压检测信号延迟规定时间,得到延迟电压检测信号;以及锁存部,所述锁存部从所述外部的电源输入外部电源检测信号,从所述延迟部输入所述延迟电压检测信号,对所述延迟电压检测信号进行锁存并输出最终检测信号。

东芯股份成立于2014年11月26日,于2021年12月10日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均位于上海。它是国内领先的中小容量存储芯片设计企业,拥有完整的产品线和先进的技术工艺。

东芯股份主营业务聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,所属申万行业为电子 - 半导体 - 数字芯片设计,涉及GPU、昨日高振幅、大基金二期等概念板块。

2025年,东芯股份营业收入9.21亿元,在52家行业企业中排名38,远低于第一名豪威集团的288.55亿元和第二名江波龙的227.66亿元,行业平均数为38.8亿元,中位数为16.67亿元。主营业务构成中,NAND占比65.20%达6.01亿元,MCP占比25.05%为2.31亿元等。净利润方面,2025年为 - 2.16亿元,行业排名43/52,第一名豪威集团40.32亿元,第二名海光信息36.19亿元,行业平均数4.2亿元,中位数1.68亿元。

东芯半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046596.X2025-12-31CN121862176A2026-04-14陈慧
2信号时序控制电路和信号时序控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512042460.12025-12-31CN121884898A2026-04-17俞惠、刘亮、吕军
3反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法发明专利公布CN202511837741.X2025-12-08CN121662125A2026-03-13聂明漩
4数据串并转换电路、数据串并转换锁存方法及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202511775208.52025-11-28CN121585182A2026-02-27宋东蔚
5一种用于非易失性存储器的写入功耗降低的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411981682.92024-12-31CN119905128A2025-04-29曹健睿、陈慧、陈纬荣
6上电检测电路及上电检测方法发明专利授权CN202411962901.92024-12-30CN119811459B2026-05-05胡嘉伦
7反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411950954.92024-12-27CN119889403A2025-04-25任雪
8写操作时序逻辑电路及存储器发明专利授权CN202411937502.72024-12-26CN119864058B2025-12-30宋东蔚
9ZQ校准模块及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411799189.52024-12-09CN119724303A2025-03-28俞惠、刘亮
10温度传感器电路以及DDR3半导体存储芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202411791946.42024-12-06CN119595133A2025-03-11蒋徐前
11LDO电路发明专利实质审查的生效、公布CN202411726655.72024-11-28CN119597082A2025-03-11田铂城、沈凯斌
12AB类运算放大器发明专利实质审查的生效、公布CN202411722573.52024-11-28CN119649866A2025-03-18田铂城
13反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器发明专利授权CN202411671481.92024-11-21CN119601064B2026-03-06任雪、俞惠
14延时电路版图及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411571204.02024-11-06CN119623395A2025-03-14沈凯斌
15DDR时钟同步系统和具备该系统的DDR内存芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202411269993.22024-09-11CN119226198A2024-12-31刘浩杰、刘亮、沈凯斌、聂明漩
16片内终结电路模块及该片内终结电路模块的数据保持方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411143918.12024-08-20CN119132359A2024-12-13陆秋实、刘亮、李解
17锁相环延迟时间调整装置、方法及时钟同步系统发明专利实质审查的生效、公布CN202411005156.92024-07-25CN118824312A2024-10-22刘浩杰、聂明漩
18提高NORFLASH配置模块数据准确率的方法、装置、存储介质及存储设备发明专利实质审查的生效、公布CN202410214635.52024-02-27CN118098309A2024-05-28王潇潇
19半导体存储器及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410169256.92024-02-06CN118019333A2024-05-10郑明勋
20一次可编程存储器、读写方法以及DRAM存储设备发明专利实质审查的生效、公布CN202311767256.02023-12-20CN117746961A2024-03-22胡杰
21NAND闪存单元及NAND闪存单元的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311696506.62023-12-11CN117641922A2024-03-01周震、金镇湖
22非易失性存储器及其编程方法、计算机系统发明专利实质审查的生效、公布CN202311533307.32023-11-16CN117558322A2024-02-13冯鹏亮
23存储器装置及其数据操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311439982.X2023-10-31CN117435140A2024-01-23胡杰
24电流镜组的共质心布局及其布局方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311169463.62023-09-11CN117217157A2023-12-12肖陈贵、唐力、赖荣钦、郑龙权、胡杰
25NOR闪存存储器的刷新方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202310800165.62023-06-30CN116779001A2023-09-19孙天宇
26半导体器件的金属层布局方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310573621.82023-05-19CN116583108A2023-08-11唐力
27循环冗余校验电路及DDR存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202310424643.82023-04-19CN116453578A2023-07-18赖荣钦
28写入均衡检测器、写入均衡检测电路及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202310231864.32023-03-10CN116524972A2023-08-01郑龙权
29NAND闪存及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211729243.X2022-12-30CN115988881A2023-04-18金镇湖
30NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202211708522.82022-12-29CN115831203A2023-03-21沈嘉怡
31非易失性存储器及其数据读取方法、计算机系统发明专利授权CN202211503529.62022-11-28CN115841838B2026-02-03王潇潇
32非易失性存储器的编程方法以及存储装置发明专利实质审查的生效、公布CN202211280334.X2022-10-19CN115602232A2023-01-13冯鹏亮
33非易失性存储器及其擦除方法、计算机系统发明专利实质审查的生效、公布CN202211123715.72022-09-15CN115440284A2022-12-06陈慧
34用于过擦除修复的方法和存储装置发明专利授权、公布CN202210961804.22022-08-11CN115295056B2025-05-13陈纬荣
35间隔振荡器及其控制方法、以及具备该间隔振荡器的存储器发明专利授权CN202210949585.62022-08-09CN115295034B2025-09-30赖荣钦
36振荡周期匹配装置、方法、存储器及计算机可读取介质发明专利授权CN202210871210.22022-07-22CN115118256B2025-11-14赖荣钦
37一种占空比调节器发明专利实质审查的生效、公布CN202210849664.X2022-07-19CN115116505A2022-09-27赖荣钦
38一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849957.82022-07-19CN115116506B2025-08-15赖荣钦
39一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849584.42022-07-19CN115132243B2025-08-19赖荣钦
40一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849633.42022-07-19CN115001454B2025-08-26赖荣钦
41存储器及其去耦方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210767899.42022-06-30CN115064194A2022-09-16赖荣钦
42存储器及其去耦方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210768197.82022-06-30CN115064195A2022-09-16赖荣钦
43具有校准功能的存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202210767408.62022-06-30CN115064193A2022-09-16赖荣钦
44存储器发明专利授权、公布CN202210714079.92022-06-22CN115188407B2025-09-09赖荣钦
45时序转换装置、方法、写入均衡系统及计算机可读取介质发明专利授权、公布CN202210699757.92022-06-20CN115021725B2025-06-27赖荣钦
46CAM单元检查模块及其检查方法发明专利授权、公布CN202210288757.X2022-03-23CN114649049B2025-08-29方斗敬
47用于输入缓冲器的偏移消除校准电路的自对准控制电路发明专利授权CN202210277707.12022-03-21CN114613402B2026-01-30赖荣钦
48非易失性存储器装置及其操作方法发明专利授权CN202210222692.92022-03-09CN114613410B2025-11-21林钟观
49半导体器件发明专利授权、公布CN202210207403.82022-03-04CN114582832B2025-07-29苏万锡、李海旭
50非易失性存储器及其编程方法、计算机系统发明专利授权、公布CN202210185454.52022-02-28CN114582402B2025-08-29金龙云

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