5月8日消息,国家知识产权局信息显示,东芯半导体股份有限公司申请一项名为“上电检测电路及上电检测方法”的专利,授权公告号CN119811459B,授权公告日为2026年5月5日。申请公布号为CN119811459A,申请号为CN202411962901.9,申请公布日期为2026年5月5日,申请日期为2024年12月30日,发明人胡嘉伦,专利代理机构上海专利商标事务所有限公司,专利代理师陆婷,分类号G11C29/12、G11C5/14。
专利摘要显示,本发明提供一种上电检测电路,其特征在于,包括:电源检测部,所述电源检测部从外部的电源输入外部电源信号,从芯片的内部电源输入比所述外部电源信号的电压要高的高电压信号,对所述高电压信号进行检测,得到与所述外部电源信号的电压相同的高电压检测信号;延迟部,所述延迟部对从所述电源检测部输入的所述高电压检测信号延迟规定时间,得到延迟电压检测信号;以及锁存部,所述锁存部从所述外部的电源输入外部电源检测信号,从所述延迟部输入所述延迟电压检测信号,对所述延迟电压检测信号进行锁存并输出最终检测信号。
东芯股份成立于2014年11月26日,于2021年12月10日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均位于上海。它是国内领先的中小容量存储芯片设计企业,拥有完整的产品线和先进的技术工艺。
东芯股份主营业务聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,所属申万行业为电子 - 半导体 - 数字芯片设计,涉及GPU、昨日高振幅、大基金二期等概念板块。
2025年,东芯股份营业收入9.21亿元,在52家行业企业中排名38,远低于第一名豪威集团的288.55亿元和第二名江波龙的227.66亿元,行业平均数为38.8亿元,中位数为16.67亿元。主营业务构成中,NAND占比65.20%达6.01亿元,MCP占比25.05%为2.31亿元等。净利润方面,2025年为 - 2.16亿元,行业排名43/52,第一名豪威集团40.32亿元,第二名海光信息36.19亿元,行业平均数4.2亿元,中位数1.68亿元。
东芯半导体股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512046596.X | 2025-12-31 | CN121862176A | 2026-04-14 | 陈慧 |
| 2 | 信号时序控制电路和信号时序控制方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512042460.1 | 2025-12-31 | CN121884898A | 2026-04-17 | 俞惠、刘亮、吕军 |
| 3 | 反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511837741.X | 2025-12-08 | CN121662125A | 2026-03-13 | 聂明漩 |
| 4 | 数据串并转换电路、数据串并转换锁存方法及存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511775208.5 | 2025-11-28 | CN121585182A | 2026-02-27 | 宋东蔚 |
| 5 | 一种用于非易失性存储器的写入功耗降低的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411981682.9 | 2024-12-31 | CN119905128A | 2025-04-29 | 曹健睿、陈慧、陈纬荣 |
| 6 | 上电检测电路及上电检测方法 | 发明专利 | 授权 | CN202411962901.9 | 2024-12-30 | CN119811459B | 2026-05-05 | 胡嘉伦 |
| 7 | 反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411950954.9 | 2024-12-27 | CN119889403A | 2025-04-25 | 任雪 |
| 8 | 写操作时序逻辑电路及存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202411937502.7 | 2024-12-26 | CN119864058B | 2025-12-30 | 宋东蔚 |
| 9 | ZQ校准模块及存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411799189.5 | 2024-12-09 | CN119724303A | 2025-03-28 | 俞惠、刘亮 |
| 10 | 温度传感器电路以及DDR3半导体存储芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411791946.4 | 2024-12-06 | CN119595133A | 2025-03-11 | 蒋徐前 |
| 11 | LDO电路 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411726655.7 | 2024-11-28 | CN119597082A | 2025-03-11 | 田铂城、沈凯斌 |
| 12 | AB类运算放大器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411722573.5 | 2024-11-28 | CN119649866A | 2025-03-18 | 田铂城 |
| 13 | 反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202411671481.9 | 2024-11-21 | CN119601064B | 2026-03-06 | 任雪、俞惠 |
| 14 | 延时电路版图及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411571204.0 | 2024-11-06 | CN119623395A | 2025-03-14 | 沈凯斌 |
| 15 | DDR时钟同步系统和具备该系统的DDR内存芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411269993.2 | 2024-09-11 | CN119226198A | 2024-12-31 | 刘浩杰、刘亮、沈凯斌、聂明漩 |
| 16 | 片内终结电路模块及该片内终结电路模块的数据保持方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411143918.1 | 2024-08-20 | CN119132359A | 2024-12-13 | 陆秋实、刘亮、李解 |
| 17 | 锁相环延迟时间调整装置、方法及时钟同步系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411005156.9 | 2024-07-25 | CN118824312A | 2024-10-22 | 刘浩杰、聂明漩 |
| 18 | 提高NORFLASH配置模块数据准确率的方法、装置、存储介质及存储设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410214635.5 | 2024-02-27 | CN118098309A | 2024-05-28 | 王潇潇 |
| 19 | 半导体存储器及其形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410169256.9 | 2024-02-06 | CN118019333A | 2024-05-10 | 郑明勋 |
| 20 | 一次可编程存储器、读写方法以及DRAM存储设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311767256.0 | 2023-12-20 | CN117746961A | 2024-03-22 | 胡杰 |
| 21 | NAND闪存单元及NAND闪存单元的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311696506.6 | 2023-12-11 | CN117641922A | 2024-03-01 | 周震、金镇湖 |
| 22 | 非易失性存储器及其编程方法、计算机系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311533307.3 | 2023-11-16 | CN117558322A | 2024-02-13 | 冯鹏亮 |
| 23 | 存储器装置及其数据操作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311439982.X | 2023-10-31 | CN117435140A | 2024-01-23 | 胡杰 |
| 24 | 电流镜组的共质心布局及其布局方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311169463.6 | 2023-09-11 | CN117217157A | 2023-12-12 | 肖陈贵、唐力、赖荣钦、郑龙权、胡杰 |
| 25 | NOR闪存存储器的刷新方法及装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310800165.6 | 2023-06-30 | CN116779001A | 2023-09-19 | 孙天宇 |
| 26 | 半导体器件的金属层布局方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310573621.8 | 2023-05-19 | CN116583108A | 2023-08-11 | 唐力 |
| 27 | 循环冗余校验电路及DDR存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310424643.8 | 2023-04-19 | CN116453578A | 2023-07-18 | 赖荣钦 |
| 28 | 写入均衡检测器、写入均衡检测电路及存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310231864.3 | 2023-03-10 | CN116524972A | 2023-08-01 | 郑龙权 |
| 29 | NAND闪存及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211729243.X | 2022-12-30 | CN115988881A | 2023-04-18 | 金镇湖 |
| 30 | NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211708522.8 | 2022-12-29 | CN115831203A | 2023-03-21 | 沈嘉怡 |
| 31 | 非易失性存储器及其数据读取方法、计算机系统 | 发明专利 | 授权 | CN202211503529.6 | 2022-11-28 | CN115841838B | 2026-02-03 | 王潇潇 |
| 32 | 非易失性存储器的编程方法以及存储装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211280334.X | 2022-10-19 | CN115602232A | 2023-01-13 | 冯鹏亮 |
| 33 | 非易失性存储器及其擦除方法、计算机系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211123715.7 | 2022-09-15 | CN115440284A | 2022-12-06 | 陈慧 |
| 34 | 用于过擦除修复的方法和存储装置 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210961804.2 | 2022-08-11 | CN115295056B | 2025-05-13 | 陈纬荣 |
| 35 | 间隔振荡器及其控制方法、以及具备该间隔振荡器的存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202210949585.6 | 2022-08-09 | CN115295034B | 2025-09-30 | 赖荣钦 |
| 36 | 振荡周期匹配装置、方法、存储器及计算机可读取介质 | 发明专利 | 授权 | CN202210871210.2 | 2022-07-22 | CN115118256B | 2025-11-14 | 赖荣钦 |
| 37 | 一种占空比调节器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210849664.X | 2022-07-19 | CN115116505A | 2022-09-27 | 赖荣钦 |
| 38 | 一种占空比调节器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210849957.8 | 2022-07-19 | CN115116506B | 2025-08-15 | 赖荣钦 |
| 39 | 一种占空比调节器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210849584.4 | 2022-07-19 | CN115132243B | 2025-08-19 | 赖荣钦 |
| 40 | 一种占空比调节器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210849633.4 | 2022-07-19 | CN115001454B | 2025-08-26 | 赖荣钦 |
| 41 | 存储器及其去耦方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210767899.4 | 2022-06-30 | CN115064194A | 2022-09-16 | 赖荣钦 |
| 42 | 存储器及其去耦方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210768197.8 | 2022-06-30 | CN115064195A | 2022-09-16 | 赖荣钦 |
| 43 | 具有校准功能的存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210767408.6 | 2022-06-30 | CN115064193A | 2022-09-16 | 赖荣钦 |
| 44 | 存储器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210714079.9 | 2022-06-22 | CN115188407B | 2025-09-09 | 赖荣钦 |
| 45 | 时序转换装置、方法、写入均衡系统及计算机可读取介质 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210699757.9 | 2022-06-20 | CN115021725B | 2025-06-27 | 赖荣钦 |
| 46 | CAM单元检查模块及其检查方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210288757.X | 2022-03-23 | CN114649049B | 2025-08-29 | 方斗敬 |
| 47 | 用于输入缓冲器的偏移消除校准电路的自对准控制电路 | 发明专利 | 授权 | CN202210277707.1 | 2022-03-21 | CN114613402B | 2026-01-30 | 赖荣钦 |
| 48 | 非易失性存储器装置及其操作方法 | 发明专利 | 授权 | CN202210222692.9 | 2022-03-09 | CN114613410B | 2025-11-21 | 林钟观 |
| 49 | 半导体器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210207403.8 | 2022-03-04 | CN114582832B | 2025-07-29 | 苏万锡、李海旭 |
| 50 | 非易失性存储器及其编程方法、计算机系统 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210185454.5 | 2022-02-28 | CN114582402B | 2025-08-29 | 金龙云 |
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