4月9日消息，国家知识产权局信息显示，普冉半导体（上海）股份有限公司申请一项名为“存储单元擦写方法、装置、电子设备及存储介质”的专利。申请公布号为CN121811946A，申请号为CN202511909066.7，申请公布日期为2026年4月7日，申请日期为2025年12月17日，发明人罗光燕、柳思罕，专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理有限公司，专利代理师卿洋，分类号G11C16/12、G11C16/14、G11C16/34。

专利摘要显示，本申请提供了一种存储单元擦写方法、装置、电子设备及存储介质，涉及存储技术领域，该方法包括：获取存储单元的擦写操作曲线。根据擦写操作曲线，确定使存储单元的阈值电压变化进入线性区所需的最小操作时间。对存储单元施加初始擦写电压，且初始擦写电压的操作时间不小于最小操作时间，以使存储单元的阈值电压变化进入线性区。在存储单元处于线性区后，对存储单元连续施加多个阶跃式增大的擦写电压脉冲，且每个擦写电压脉冲的操作时间均不小于最小操作时间，直至存储单元的阈值电压达到目标阈值电压。本申请提供的存储单元擦写方法能够有效提高存储单元擦写的速度及可靠性。

天眼查数据显示，普冉半导体（上海）股份有限公司成立日期2016年1月4日，法定代表人王楠，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为中型，注册资本14804.9102万人民币，实缴资本14804.9102万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区银冬路20弄8号地下1层、地下2层、地下3层、2层、3层、4层、5层。普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息35条，专利信息217条，拥有行政许可7个。

普冉半导体（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

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