2月28日消息，国家知识产权局信息显示，龙迅半导体（合肥）股份有限公司申请一项名为“高电源电压抑制比的带隙基准源、集成电路和电子设备”的专利，授权公告号CN121387007B，授权公告日为2026年2月27日。申请公布号为CN121387007A，申请号为CN202511953225.3，申请公布日期为2026年2月27日，申请日期为2025年12月23日，发明人居子键、季翔宇、谢恩明、朱云峰，专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司，专利代理师郄晨芳，分类号G05F1/56。

专利摘要显示，本申请提供了一种高电源电压抑制比的带隙基准源、集成电路和电子设备，涉及集成电路技术领域，基准源的第一级运放单元包括第一、二场效应管、输入对管、第一电阻、第一、二节点，第二级运放单元实现第一节点和第二节点电位相等，输入对管包括第一、二三极管。输出部分包括输出对管、第二电阻、第三、四节点，输出对管包括第三、四三极管，第三节点和第四节点分别与第一三极管和第二三极管的基极端电连接。根据第一电阻的阻值，第三节点与第一电阻的电流比为第一预设值。该基准源抑制运放部分的输入失调，且通过压降很小的第一电阻，实现运放部分与输出部分的电流之比为预设比例，为低电源电压情况下高PSR的带隙基准源，提供可行性方案。

天眼查数据显示，龙迅半导体（合肥）股份有限公司成立日期2006年11月29日，法定代表人陈峰，所属行业为软件和信息技术服务业，企业规模为中型，注册资本13332.7968万人民币，实缴资本1558.3244万人民币，注册地址为安徽省合肥市经济技术开发区宿松路3963号智能装备科技园B3栋。龙迅半导体（合肥）股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息49条，专利信息142条，拥有行政许可7个。

龙迅半导体（合肥）股份有限公司近期专利情况如下：

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