证券时报记者 孙宪超

　　“十四五”时期，作为国内半导体设备行业的领军企业，拓荆科技紧扣国家战略需求，在薄膜沉积与三维集成领域取得了系列突破性成果。2022年4月，公司成功登陆科创板，借助资本市场的“东风”，为高质量发展注入了强劲动力。

　　过去五年，拓荆科技始终坚持自主研发，深耕薄膜沉积设备赛道，构建了全品类产品矩阵。这些高端设备已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等关键制造产线，实现了从“跟跑”“并跑”再到“领跑”的不断跨越。

　　在巩固原有优势的同时，公司前瞻性布局三维集成领域，快速推出先进键合设备及配套量检测产品。目前，相关产品已在先进存储、图像传感器（CIS）等领域成功量产，并正持续扩大市场份额，为后摩尔时代的技术演进提供了关键支撑。

　　拓荆科技始终以国家战略方向、前沿技术趋势及客户应用需求为导向，充分发挥全产业链协同创新优势，先后承担10余项国家重大专项，构建了完善的知识产权体系，设备性能关键指标达到国际同类水平。

　　近年来，拓荆科技形成的系列研发成果快速推向市场，业务规模快速增长。数据显示，2019年至2024年，该公司累计营收近100亿元，复合增长率高达75%；归母净利润约18亿元，累计研发投入超22亿元。截至2025年9月，公司研发团队规模超1600人，累计申请专利1918项，获得授权专利646项，其中发明专利324项，展现了强劲的技术储备与市场爆发力。

　　展望“十五五”，拓荆科技将继续以建设世界领先的高端半导体设备公司为战略目标。公司将紧密围绕国家重大技术创新需求、紧跟产业趋势，保持高强度研发投入，深化产学研合作与产业协同，不断巩固行业领先地位，为中国半导体产业链的快速发展贡献核心力量。