1月10日消息，国家知识产权局信息显示，陕西亚成微电子股份有限公司申请一项名为“一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法”的专利。申请公布号为CN121310601A，申请号为CN202511851434.7，申请公布日期为2026年1月9日，申请日期为2025年12月10日，发明人苗东铭、刘楠、撒雅维、杨世红、徐永年、李小红、李维，专利代理机构西安智邦专利商标代理有限公司，专利代理师张蒙，分类号H10D30/66、H10D30/01、H10D64/27。

专利摘要显示，本发明涉及MOSFET器件，具体涉及一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法。该MOSFET器件包括外延层；外延层的上表面设置有有源区沟槽和终端区沟槽；在有源区沟槽内设置有第一源栅结构和第二源栅结构；并在第一源栅结构和第二源栅结构与沟槽之间设置有第一底氧化层和第二底氧化层；第一源栅结构为浮空源栅、第二源栅结构为接源源栅，两者组成分离的源栅结构；第一底氧化层的厚度大于第二底氧化层的厚度，两者组成阶梯型底氧化层结构；在终端区沟槽内设置有第一源栅结构；第一源栅结构与沟槽之间设置有第一底氧化层；第一源栅结构为浮空源栅。本发明的MOSFET器件相比于现有MOSFET器件耐压更高。

天眼查数据显示，陕西亚成微电子股份有限公司成立日期2003年9月19日，法定代表人余远强，所属行业为电气机械和器材制造业，企业规模为小型，注册资本5982万人民币，实缴资本1200万人民币，注册地址为陕西省西安市高新区上林苑一路15号光子芯片硬科技企业社区6幢。陕西亚成微电子股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息205条，拥有行政许可18个。

陕西亚成微电子股份有限公司近期专利情况如下：

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