1月7日消息，国家知识产权局信息显示，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“半导体器件制造方法”的专利。申请公布号为CN121285279A，申请号为CN202511460916.X，申请公布日期为2026年1月6日，申请日期为2025年10月13日，发明人马小波，专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司，专利代理师杨思雨，分类号H10W10/17、H10W20/20。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件制造方法。该半导体器件制造方法包括：提供半导体主体，半导体主体包括衬底，位于衬底上的外延层和位于衬底与外延层之间的埋层，衬底和外延层具有第一掺杂类型，埋层具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；形成第一沟槽结构，第一沟槽结构自半导体主体表面延伸至衬底以与衬底电连接；在半导体主体中形成器件区域；至少在器件区域的部分表面处形成氧化隔离结构；以及在形成氧化隔离结构后形成第二沟槽结构，第二沟槽结构自半导体主体表面延伸至埋层以与埋层电连接。通过后移第二沟槽结构的形成步骤，可以有效减少第二沟槽结构在后续流程中的损耗，利于避免其内部的掺杂外扩，从而提升半导体器件的可靠性。

天眼查数据显示，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司成立日期1970年1月16日，法定代表人吴建刚，所属行业为软件和信息技术服务业，企业规模为大型，注册资本13780.1498万人民币，实缴资本4385.7541万人民币，注册地址为苏州工业园区星湖街328号创意产业园2-B303。思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息61条，专利信息317条，拥有行政许可11个。

思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司近期专利情况如下：

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