斯达半导体股份有限公司（以下简称“斯达半导”）近日就其向不特定对象发行可转换公司债券申请文件的审核问询函进行了回复，对本次募投项目的环评进展、产能消化、资金使用等市场关注的问题进行了详细说明。公司本次拟募集资金不超过15亿元，用于“车规级SiC MOSFET模块制造项目”“IPM模块制造项目”“车规级GaN模块产业化项目”和补充流动资金。

募投项目环评与用地进展顺利

针对问询函关注的环评批复及用地情况，斯达半导表示，本次募投项目中，IPM模块制造项目已取得环评批复。车规级SiC MOSFET模块制造项目和车规级GaN模块产业化项目的环境影响报告表均已编制完成并获受理，拟审批公示期均已完成，预计于2025年12月取得环评批复，不存在实质性障碍或不确定性。

用地方面，IPM模块制造项目拟选址重庆高新区西永组团T62-1/05（部分）地块，净用地面积35亩，用地性质为一类工业用地，目前《斯达半导体IPM模块制造项目合同》已在签章流程中。车规级GaN模块产业化项目用地位于上海市嘉定区外冈镇新能港14-03地块，用地面积约17.50亩，已获得农转用批复、土地供地文等批文，正在办理地块出让征询中。

项目实施具备技术与供应链保障

斯达半导强调，本次募投项目均为公司现有主营业务的延伸与拓展，与现有产品联系紧密。SiC MOSFET模块和IPM模块目前产销情况良好，2025年1-6月SiC MOSFET模块产销率达103.01%，IPM模块产销率达89.75%，产能利用率分别为96.46%和95.52%，均处于较高水平。车规级GaN模块已研发成功并获得主电机控制器平台定点，预计2026年进入装车应用阶段。

在技术方面，公司表示SiC MOSFET模块和IPM模块的扩产不存在技术难点，GaN模块研发亦已完成，公司在功率半导体模块领域拥有丰富的产业化经验。供应链方面，核心原材料如SiC MOSFET芯片采用自产与外购相结合模式，IGBT芯片等主要为自主生产，DBC、外壳等通用原材料则通过与国内外优质供应商建立长期稳定合作关系保障供应，不存在上游原材料短缺风险。

市场需求广阔 产能消化有信心

对于市场普遍关注的产能消化风险，斯达半导从市场供需、竞争格局、客户储备等多方面进行了阐述。公司指出，SiC MOSFET模块、IPM模块及GaN模块所处的新能源汽车、白色家电、充电桩等下游市场需求旺盛。例如，根据中国汽车工业协会数据，2024年中国新能源汽车产销同比分别增长34.4%和35.5%；Yole数据显示，2023-2029年全球GaN功率器件市场规模复合增长率约41%。

公司作为国内功率半导体行业的领军企业，客户储备丰富，已累计获得超过30个新能源汽车主电机控制器项目定点，与美的、格力等主流白色家电企业建立了密切合作。截至2025年10月31日，公司IGBT模块、SiC MOSFET模块、IPM模块在手订单及意向订单金额分别为141,532.12万元、20,427.47万元和4,394.49万元，在手订单充足。

资金使用合规 效益预测审慎

在资金使用方面，公司详细披露了各募投项目建筑工程费、设备购置及安装费的测算依据，并表示本次募投项目中非资本性支出占比为28.67%，未超过30%的规定比例，且不存在置换董事会前投入的情形。效益预测方面，车规级SiC MOSFET模块制造项目、IPM模块制造项目、车规级GaN模块产业化项目达产后预计内部收益率分别为18.45%、16.00%、18.73%。公司称，相关预测是基于产品价格、成本费用等关键指标的审慎测算，并与同行业可比项目及公司当前同类产品的盈利状况相接近。

中介机构核查后认为，斯达半导本次募投项目环评及用地进展正常，实施不存在重大不确定性，产能消化风险较小，资金使用符合规定，效益预测审慎合理。

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