阳离子协同取代策略助力锡基钙钛矿发光调控
创始人
2025-12-02 17:01:03

(来源:科创中国)

216 型金属卤化物钙钛矿(即 A2BX6)因其优异的环境友好性和光电性质受到广泛关注。然而,带隙宽、成本高、发光性能差等因素限制了此类材料在光电领域的进一步应用。为实现 216 型锡基钙钛矿光学性能的优化调控,协同取代 A 位和 B 位阳离子成为了一种有效策略。本文研究团队采用溶液结晶法,在不同温度条件下成功合成了 Bi3+掺杂的 Cs2SnCl6 和(BTP2SnCl6 BTP+ =C25H22P + )粉末晶体。研究发现,后者因更大的A位阳离子引发更强的晶格孤立效应,从而显著改变了其自陷激子发光的Stokes位移、寿命等性质。该机制成功应用于双色防伪印章,为材料设计提供了新思路。

216型金属卤化物钙钛矿(即A2BX6)因其优异的环境友好性和光电性质,近年来受到广泛关注。然而,带隙宽、成本高、发光性能差等因素限制了此类材料在光电领域的进一步应用。

针对上述问题,我们采用低成本、高产率的溶液结晶法,在乙醇和稀盐酸的环境下,实现了A2SnCl6A= Cs+, BTP+)体系中不同浓度Bi3+与不同类型A位阳离子的协同取代与性能对比。

如图1所示,不同于传统的水热法,该溶液结晶法通过溶液制备、反溶剂结晶、离心、烘干及研磨等简单操作即可获得Cs2SnCl6: 5%Bi3+(BTP)2SnCl6: 5%Bi3+,其合成产率分别达到了84%42%,显示出良好的规模化生产潜力。此外,Cs2SnCl6: xBi3+(BTP)2SnCl6: xBi3+的制备成本显著低于市售蓝色荧光粉,展现出优越的经济性与应用前景。在不同的反应温度条件下分别合成了Cs2SnCl6: xBi3+系列晶体,100℃20℃下合成的晶体形貌差别不大,但20℃下的晶粒更大,结晶质量更佳。因此,为获得更优的微观结构和晶体质量,后续样品均在20℃的温和条件下进行溶液结晶。

1 A2SnCl6: xBi3+的合成优化工艺与晶体形貌

如图2所示,XRD分析验证了A2SnCl6: xBi3+的成功合成。Bi3+掺杂导致Cs2SnCl6: 5%Bi3+220)晶面对应的衍射峰出现了轻微低角偏移,反映晶格膨胀。然而,(BTP)2SnCl6(BTP)2SnCl6: 5%Bi3+XRD衍射峰未发生明显的移动,推测原因在于Cs+半径远小于体积庞大的BTP+,结构参数的影响被BTP+的位阻效应所掩盖。结合结构优化计算显示,Cs2SnCl6[SnCl6]2–八面体间距远小于(BTP)2SnCl6,表明Cs2SnCl6晶格更紧凑,而(BTP)2SnCl6结构刚性较低。

2 A2SnCl6: xBi3+的晶相结构及几何结构表征

XPS分析(如图3)进一步确认了Bi3+的成功掺杂,并揭示了A位阳离子取代对材料电子结构的显著影响。研究发现,无论是B位引入Bi3+,还是A位用大尺寸有机阳离子BTP⁺取代Cs⁺,都导致了Sn 3dCl 2p结合能向低能方向移动。表明[SnCl]²⁻单元电子密度增加、结构孤立化增强。该结果清晰地表明,A位与B位的协同取代策略在调控晶格软性和电子结构方面发挥了重要作用。

3 A2SnCl6: xBi3+的表面化学组成与电子结构分析

荧光光谱分析(图4)显示,Cs2SnCl6: 5%Bi3+的发射强度和PL峰面积均达到最大,表明该掺杂浓度下STE发光性能最优,对应CIE色坐标为(0.140.07)的蓝光区域。(BTP)2SnCl6: 5%Bi3+CIE色坐标移动到(0.130.19)的天蓝色区域。这表明,A位有机阳离子引入增强了晶格柔性,降低STE束缚势阱和激发态局域畸变,从而显著影响激发态载流子的运动、耦合与辐射复合。

4 A2SnCl6: xBi3+的荧光性能对比

温度依赖PL测量(图5)显示,PL强度与温度的关系可用I(T)=I0/[1+exp(Eb/Tkb)]拟合。Cs2SnCl6: 5%Bi3+(BTP)2SnCl6: 5%Bi3+的激子结合能分别为248.62 meV57.32 meV,两者均符合STE发射特征,但(BTP)2SnCl6: 5%Bi3+具有更浅的STE束缚势阱,有利于束缚激子的辐射复合过程。

5   A2SnCl6: xBi3+的温度依赖特性

发光寿命测量(图6)显示,(BTP)2SnCl6: xBi3+的衰减寿命均保持在1.5 ns左右,而Cs2SnCl6: xBi3+的衰减寿命则显著延长至百纳秒量级。结合文献表明,两者发光均源于STE辐射复合,但寿命相差近百倍。这说明(BTP)2SnCl6: xBi3+Cs2SnCl6: xBi3+体系的STE形成与复合过程具有本征差异:当Cs+BTP+取代后,[SnCl6]2–八面体晶格松弛,柔性增强,局域畸变程度减弱,导致STE态的束缚势阱深度变浅,缩短荧光寿命。

6 A2SnCl6: xBi3+PL衰减曲线及发光机理

7利用Cs2SnCl6: 5%Bi3+(BTP)2SnCl6: 5%Bi3+STE发光特性的差异,设计了温度响应型双色荧光防伪图案。热循环处理过程中,两者的发光强度均随着温度升高而出现不同程度的热猝灭,其中Cs2SnCl6: 5%Bi3+PL峰从原本的451 nm红移至486 nm,可能因为热退火过程中形成了Cl⁻空位,削弱了[BiSn+VCl]发光中心。此外,经去离子水中浸泡60天后,Cs2SnCl6: 5%Bi3+粉末的PL强度保持原有强度的68%,表明样品具有较好的水稳定性。

7 A2SnCl6: xBi3+的荧光防伪应用及稳定性评估

综上,本研究实现了蓝光范围STE发光的有效调控,为理解A2SnCl6体系中阳离子协同取代对发光机制的影响提供了实验依据。未来,可通过筛选具有更大尺寸或功能差异的有机阳离子,实现更宽波段范围内的发光调控。

本文作者:陆洲,朱嘉乐,周鑫,赵璐,张素银,冯旭辉,蔡培庆,魏钦华,尹航,秦来顺

作者简介:陆洲,浙江工业大学材料科学与工程学院,硕士研究生,研究方向为钙钛矿发光材料;尹航(通信作者),中国计量大学材料与化学学院特聘副教授,CSC公派赴隆德大学访问学者,研究方向为闪烁晶体的载流子动力学。基金项目:国家自然科学基金青年科学基金项目(12505355);国家重点研发计划稀土新材料重点专项(2022YFB3503600);浙江省自然科学基金重点项目(LZ23E020001);浙江省自然科学基金探索项目(LQ23A050004);第八届中国科协青年人才托举工程项目(2022QNRC001

文章来源:陆洲, 朱嘉乐, 周鑫, . 阳离子协同取代策略助力锡基钙钛矿发光调控[J]. 科技导报, 2025, 43(19): 95105.

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