（来源：第三代半导体产业）

方正微HPD SiC MOS模块FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款专为新能源车主驱逆变器设计的高性能SiCMOS功率模块，旨在提供高效、可靠的主驱电控解决方案。

该模块SiCMOS芯片采用自研平面工艺，性能、可靠性处于行业领先水平，封装采用芯片银烧结、DTS等先进工艺，确保产品在高压、高功率及各种恶劣工况、环境下都能稳定可靠运行。

该模块采用方正微电子自研自产车规级SiC MOS芯片，并通过芯片银烧结、DTS等先进工艺进行封装，在高压、高功率及各种恶劣工况、环境下均可稳定运行。

方正微HPD模块FA120P002AA图片和内部全桥拓扑图

主要参数：

内部结构方面，该模块内部拓扑为三相全桥，同时集成热敏电阻（NTC）监测温度、设置开尔文引脚，能在SiC MOSFET高速开关时抑制电压尖峰，保证高频开关应用的安全与可靠。模块内芯片布局合理紧凑，可降低电压尖峰、电压振荡、开关损耗、EMI噪声等。

参数性能方面，该模块满足国际电子元件AQG-324可靠性标准，芯片关键可靠性项目可轻松通过3000h认证。最高结温175°C，芯片击穿电压BV（Ids=1mA）>1450V，具有高导热率，可高效散热，轻松满足高电压平台应用。

应用表现方面，该模块已针对新能源汽车主驱应用场景、在严苛条件下进行了电机台架多工况测试，波形、芯片温度、堵转、循环工况、老化等性能表现出色，可为新能源纯电动汽车、混合电动汽车等主驱逆变器提供最优解决方案。

未来，方正微电子将持续深耕第三代半导体碳化硅功率器件、新能源汽车核心部件等战略赛道，聚焦产品迭代升级，加大技术攻关力度，为助力我国新一代新能源基础设施高质量可持续发展贡献“深圳智造”力量。

来源：方正微电子

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