（转自：第三代半导体产业）

深圳平湖实验室使用国产的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现SiC激光剥离的单片总损耗≤75μm，单片成本降低约26%，达到国际先进水平，已完成三批次的小批量验证，良率100%。

这是一项令人振奋的技术突破！核心性能指标达到国际先进水平，在关键技术及设备上实现了自主可控，保障了供应链安全，降低了对外依赖风险，工艺成熟可靠，可快速实现产业化。

SiC材料及器件具有高温、高频、高耐压、高功率、抗辐射等优异性能，在新能源汽车、光伏新能源、轨道交通和智能电网等领域具有巨大的应用前景。

当前SiC大规模化应用的进展不如预期，主要原因在于SiC的成本还是相对较高，从SiC器件的成本模型可以发现，SiC衬底占比最高，达50%，是规模化应用最关键一环。因此SiC衬底降本、提质是促进SiC大规模应用的关键路径之一。打开SiC衬底的成本来看，SiC材料占比高达70%，而且接近一半是在切割中损耗掉了，所以降低SiC材料的切割损耗，又是降低SiC衬底成本的关键路径。

SiC单晶材料的高硬度、极高脆性、高化学稳定性等特性导致其极难加工，行业主流采用多线切割技术进行SiC衬底的切割加工，单片总材料损耗在280-300 μm，而6inch的SiC衬底成品厚度在350um左右，相当于材料损耗率在46%左右。深圳平湖实验室聚焦SiC激光剥离新技术的研究与开发，旨在大幅降低碳化硅衬底的切割损耗，从而降低碳化硅衬底的成本，促进大尺寸SiC衬底规模化产业应用。

深圳平湖实验室新技术研究部使用国产的全自动化激光剥离系统，在2024年12月，实现了激光剥离单片总损耗≤120μm，单片切割时间30min，达到国内领先水平。通过进一步进行激光剥离的机理研究和优化激光剥离的工艺参数，2025年6月实现激光剥离的单片总损耗≤75μm，单片切割时间20min，单片成本降低约26%，达到国际先进水平，同时最佳工艺条件完成了3批次小批量验证，良率100%。

激光剥离衬底加工后面型数据：激光剥离衬底的面型数据整体优于行业水平；

外延验证: 激光剥离SiC衬底与Baseline衬底在有效利用面积、均匀性、缺陷密度、表面粗糙度等参数上整体相当，甚至还略优。