来源：芝能汽车

在AI热潮与高性能计算需求推动下，美光科技迎来了财务与技术的突破。

2025财年第三季度，实现创纪录营收93亿美元，同比增长37%，环比增长15%，得益于HBM、高容量DRAM及数据中心SSD的强劲增长。

我们将围绕其财报核心展开分析，第一部分聚焦财务表现、产品线收入结构与市场份额变化，第二部分剖析美光在制造布局与前沿技术方面的战略执行。

  财务表现与核心产品增长：

HBM崛起与结构性转变

2025财年第三季度财务表现：

◎美光的营收增至93亿美元，相比去年同期增长超过37%，净利润达21.8亿美元。在这背后，产品结构的调整与市场需求的变化起到了关键作用，

◎尤其是DRAM的贡献达到了76%的历史新高，收入同比增长51%，环比增长15%。DRAM业务中，位出货量同比增长超过20%，而平均销售价格（ASP）仅小幅下滑，显示出高端产品结构的优化抵消了价格压力。

◎推动DRAM营收爆发的核心引擎是高带宽存储（HBM）。第三财季HBM收入环比增长近50%，且在服务器领域实现突破，美光已经向四家客户批量供货，覆盖GPU和ASIC平台。

值得注意的是，HBM不再是少数高端客户的专属，而是逐步成为AI服务器和大模型推理任务中的标配。

美光也首次明确披露，其HBM3E 12-high产品被AMD的Instinct MI355X GPU采用，而HBM4样品也已交付客户，具备60%以上带宽提升与20%的能耗下降，显示其技术代际的领先性。

◎NAND方面则相对平稳，第三季度收入为22亿美元，占比23%，同比仅增长4%，但在位出货量增长mid-20%的基础上，ASP下滑幅度达高个位数。这表明NAND仍处于技术迭代与供需调整的早期阶段。

即便如此，美光通过推出G9节点的2Tb QLC NAND新产品，加速推动消费级SSD向更大容量与更高性价比过渡，其客户端SSD市场份额连续三个季度创新高。

按业务部门划分

◎计算与网络业务（CNBU）收入达51亿美元，创季度新高，受益于HBM增长和LP DRAM批量出货；

◎移动业务收入环比增长45%，表明客户库存压力缓解后需求强劲回补；

◎嵌入式业务增长20%，工业与汽车市场的稳定性支撑了其收入弹性。

◎唯一表现平稳的是存储业务（SBU），增长幅度仅为4%，但依然从消费导向市场中获取了持续动力。

在现金流方面

◎第三季度经营现金流为46亿美元，占当季收入比重达50%，显示出强劲的盈利能力。

◎调整后自由现金流为19.5亿美元，而资本支出为27亿美元。

美光财年第三季度的增长不仅来自AI带动的终端需求扩张，更依赖于产品结构升级与高性能内存的逐步放量。

HBM从边缘进入主流，LP DRAM维持垄断供给地位，而客户端SSD则通过技术差异化巩固了市场份额。

财务表现的改善是技术战略落地的直接体现，也为后续资本开支和制造转型提供了坚实基础。

Part 2

  制造扩张与技术节奏：

构建AI时代的供应护城河

为支撑持续扩张的AI存储需求，美光在制造层面启动了一系列中长期投资规划。

2025年6月，公司宣布将在未来20年内在美国追加2000亿美元投资，其中1500亿用于制造，500亿用于研发。

这些资金不仅聚焦于扩大晶圆产能，还涵盖了先端封装、研发共置与晶圆厂现代化改造，以形成技术与产能的“双稳态”优势。

◎美光正在爱达荷州博伊西建设第二座ID2晶圆厂，以共享ID1的制造资源和研发基础，同时具备更高效率与更快投产周期。

◎与此同时，弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂也在扩建升级，特别面向汽车、航空航天和工业市场。

◎美光也计划将先进封装能力引入美国本土，以配合HBM产品未来的长线需求，预示其将对AI用内存市场的核心价值链进行更深层次的整合。

在DRAM技术方面，1-gamma工艺已实现量产出样，标志着EUV在DRAM制造中的大规模商用。该节点相较于1-beta，在位密度上提升30%、功耗降低20%、性能提升15%。美光已计划将该工艺全面推向DRAM产品线，形成从移动端LP5X到数据中心DIMM的完整覆盖。

NAND方面，G9 QLC节点持续推进，配合新的Adaptive Write技术，美光声称写入速度可达传统TLC的4倍。这将大幅扩展QLC的适用场景，并带动消费SSD市场进一步替代更高成本产品。同时，美光也在准备新的高性能SSD系列，以支持如英伟达GB200平台等AI服务器的超大容量存储需求。

产品生命周期管理，对D4与LP4内存产品的EOL（生命周期终止）计划已在多个市场启动，未来将转向提供更长尾支持的低容量市场（如工业与汽车），避免了技术落后节点占用产能的风险，也为转向先进节点腾出资源。从全球视角看，美光制造布局正从“全球多点分散”逐步走向“本土集中优势”。

美光正以稳健节奏推进其制造与技术布局，意图打造AI存储市场的基础设施型能力。

从1-gamma DRAM与G9 QLC的快速迭代，到HBM封装扩能、美国产线重构，美光试图在技术上巩固优势，在制造上拉大差距，以稳住其在AI浪潮中的核心位置。

2025财年第三季度的强劲表现标志着美光已步入“AI赋能型内存周期”的红利兑现阶段。

从产品性能、技术节点到客户结构、美光完成了从传统存储供应商到AI存储解决方案的转型，制造扩张并非简单的产能堆积，而是围绕AI场景做出的结构性配置调整。

从EUV节点推进、HBM封装整合，到客户端和移动端SSD技术升级，每一项举措都围绕提升带宽、降低功耗和增强集成性展开，符合AI工作负载对存储系统提出的新需求。

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