（转自：国元研究）

文 |  彭琦   

AI需求和制程升级，行业加速步入新一轮增长周期——存储行业报告

报告要点：

1）二季度DRAM整体价格上涨超预期。价格的上涨主要来自供应链供需结构的持续优化。下游AI需求带动产业主要原厂技术升级加速和在利基型存储芯片上的退出。从趋势上看，三季度价格仍有望保持一定的上涨空间。

2）从供应端角度，我们认为25年是DRAM行业供应结构变化的重要节点。这体现在原厂加速退出DDR4产品供应，下游AI需求刺激带动DDR5/LPDDR5/HBM产品比重加速提升。由英伟达联合三大原厂推动的基于LPDDR5x的SOCAMM标准将加速行业的技术路线的革新。

3）AI的端侧应用有望加速DRAM行业增长。Dram存储芯片成长逻辑逐步从价格驱动转向需求驱动。

4）根据25-27年整体供需模型，Dram存储芯片的供需结构将持续改善。

5）DRAM向3D化发展带动Hybrid bonding的技术发展。

建议关注

             存储芯片：兆易创新

             内存接口芯片：澜起科技

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风险提示

上行风险：DRAM颗粒价格加速上行；下游需求出现明显回暖；国产替代进程提速

下行风险：宏观经济下行；DRAM价格回暖不及预期；国产厂商产能释放不及预期；其他系统性风险

本报告摘自国元证券2025年6月23日已发布的《AI需求和制程升级，行业加速步入新一轮增长周期——存储行业报告》，具体报告及分析内容请详见报告。若因对报告的摘编等产生歧义，应以报告发布当日的完整内容为准。

分析师      彭琦 

执业证书编号   S0020523120001