截至2025年6月23日 09:54，国证半导体芯片指数(980017)强势上涨1.10%，成分股拓荆科技(688072)上涨4.66%，通富微电(002156)上涨3.90%，中微公司(688012)上涨3.82%，中芯国际(688981)，长电科技(600584)等个股跟涨。半导体ETF(159813)上涨1.07%，最新价报0.76元。拉长时间看，截至2025年6月20日，半导体ETF近1年累计上涨30.14%。

规模方面，半导体ETF近1月规模增长5.33亿元，实现显著增长。资金流入方面，半导体ETF最新资金净流入3527.82万元。

据DRAMexchange数据，2025.06.09-06.13当周，NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.86%至5.14%，平均涨跌幅为1.30%；DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.86%至20.14%，平均涨跌幅为10.50%。光大证券分析称，存储芯片价格近期呈现上涨态势。

中信建投认为，AI快速迭代带来算力需求快速增长，先进制程、先进封装、先进存储需求高涨，相关厂商积极扩产。国内传统半导体的国产化率较高，但高端芯片自给受限，高端产能亟需突破，重点关注国产先进制程、先进存储、先进封装、核心设备材料、EDA软件等。

半导体ETF紧密跟踪国证半导体芯片指数，为反映沪深北交易所芯片产业相关上市公司的市场表现，丰富指数化投资工具，编制国证半导体芯片指数。

数据显示，截至2025年5月30日，国证半导体芯片指数(980017)前十大权重股分别为中芯国际(688981)、寒武纪(688256)、海光信息(688041)、北方华创(002371)、韦尔股份(603501)、中微公司(688012)、澜起科技(688008)、兆易创新(603986)、长电科技(600584)、紫光国微(002049)，前十大权重股合计占比66.85%。

半导体ETF(159813)，场外联接A：012969；联接C：012970；联接I：022863。