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美光LPDDR5X内存专为旗舰智能手机设计，以业界领先的超薄封装提供高速等级并显著降低功耗。

2025年6月6日，爱达荷州博伊西市——美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今日宣布已开始出货全球首款采用1γ（1-gamma）制程节点的LPDDR5X内存认证样品。该产品专为加速旗舰智能手机上的AI应用而设计。美光LPDDR5X内存具备业界领先的速率，达到每秒10.7 Gb（Gbps），同时功耗可降低高达20%1，为智能手机带来更快、更流畅的移动体验和更强的续航，即使在执行如AI翻译或图像生成等数据密集型任务时也不例外。

突破性封装技术

为满足业界对新一代智能手机紧凑型解决方案日益增长的需求，美光工程师已成功将LPDDR5X的封装尺寸缩小至业界领先的0.61毫米2，较竞品轻薄6%3，较前一代产品高度降低14%4。小型规格尺寸为智能手机制造商实现超薄或可折叠设计提供了更多可能。 美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光基于1γ (1-gamma）节点的LPDDR5X内存将为移动行业带来显著变革。这项突破性技术凭借业界超薄的LPDDR5X封装实现了卓越的速率和能效，为新一代智能手机的创新设计开辟新契机。该解决方案彰显了美光致力于赋能生态系统、打造非凡移动体验的承诺。”

AI性能实测提升

美光基于1γ（1-gamma）节点的LPDDR5X为移动设备带来显著的性能跃升，加速AI洞察，提供更卓越的使用体验。例如，在基于大型语言模型Llama 2的移动AI响应时间测试中，相比基于1β（1-beta）节点、带宽7.5 Gbps的LPDDR5X，基于1γ节点、带宽达10.7 Gbps的LPDDR5X可带来以下提升：5

核心技术亮点

美光基于1γ的LPDDR5X是公司首款采用先进EUV光刻技术的移动解决方案，目前正在美光的移动产品组合中逐步采用。该产品依托业界领先的内存节点技术，让客户能够率先体验性能与能效的突破。这项重要进展是在美光今年二月针对数据中心和客户端细分市场下一代CPU提供的1γ DDR5内存样品基础上取得的。美光优化的1γ DRAM节点采用了CMOS技术7，如用于提升晶体管性能的新一代HKMG（高 K 金属栅极）技术，并采用领先的EUV光刻工艺提升容量密度。

能耗密集型的移动AI工作负载越来越多地在端侧设备上处理，而非仅依赖云端。低功耗芯片对于执行AI运算时需要兼顾出色能效的智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备至关重要。

美光基于1γ的LPDDR5X可显著节省20%的功耗，使移动设备用户单次充电即可更持久畅享AI应用、游戏和视频内容。此外，随着AI应用对高性能、低功耗计算需求的不断增长，数据中心服务器、智能汽车和AI PC等设备也可能越来越多地采用LPDDR5X内存，以获得其兼具高性能与高能效的卓越优势。

目前，美光已向特定合作伙伴送样基于1γ节点的LPDDR5X 16GB产品，并将提供从8GB至32GB的多种容量用于2026年的旗舰智能手机。

注：

1与美光上一代 LPDDR5X 相比。

2封装厚度因容量而异；基于1γ制程的美光8GB和16GB LPDDR5X的496焊球封装厚度为0.61毫米。

3根据美光的竞争市场研究和情报数据，竞品封装厚度为0.65毫米。

4基于1β制程的美光16GB LPDDR5X封装厚度为0.71毫米。

5以下示例基于LPDDR5X设备在9.6 Gbps和7.5 Gbps传输速率下的数据推算结果。

6测试要求Llama 2模型在遵循优先级约束条件下推荐10款SUV车型：用户需求权重排序为预算、Apple CarPlay兼容性，以及紧急制动、盲区监测、停车传感器及全轮驱动系统。所建议车辆价格均在23,000美元至37,000美元预算范围内。

7互补金属氧化物半导体。