掩膜ROM(MROM)
PROM(一次性编程) 熔丝的断与未断表示信息 破坏性的编程,无法修改
EPROM(多次性编程) 紫外线全部清洗 信息的擦除比较麻烦
EEPROM(多次性编程)电可擦写 局部擦写 全部擦写
Flash Memory(闪速性存储器) 就是闪存
k是校验位,n是原始数据的位数。所以k+n就是原始数据加上检验数的位数。所以k位检验数可以得到2k-1个错误位。为了校验k+n位,所以有 2k-1≥n+k.
例题:
纠错:
地址的前两位是给存储体编址
提供了并行工作的基础
容易造成一个存储体忙碌,其他存储体空闲的情况
后两位给出存储体的地址
在不改变存取周期的前提下,增加存储器的带宽
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