拓荆科技(688072)4月8日午间公告，公司拟与沈阳市人民政府国有资产监督管理委员会（简称“沈阳市国资委”）及其他产业合作方共同发起设立辽宁省集成电路装备及零部件创新中心（简称“创新中心”）。

拓荆科技是国内量产型PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体增强化学气相沉积）、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜沉积设备和混合键合设备的领军企业。拓荆科技目前已经形成半导体薄膜沉积设备和混合键合设备两个产品系列。拓荆科技聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。

近年来，拓荆科技始终持续保持高强度的研发投入，坚持自主创新，在推进新产品研发、产品产业化和各产品系列迭代升级的过程中取得了重要成果，包括Flowable CVD设备、PECVD Bianca工艺设备、PE-ALD SiN工艺设备、HDPCVD FSG、HDPCVDSTI工艺设备、键合套准精度量测设备等一系列新产品及新工艺经下游用户验证导入，实现了产业化。同时，新型设备平台PF-300M、PF-300T Plus及新型反应腔Supra-D ACHM、ONO Stack等工艺设备持续获得客户重复订单，实现大批量出货，进一步提升了公司产品性能及核心竞争力。

2021年、2022年、2023年、2024年前三季度，拓荆科技研发投入分别为2.88亿元、3.79亿元、5.76亿元和4.81亿元。

对于本次携手沈阳市国资委等共同发起设立创新中心事宜，拓荆科技表示，本次创新中心的设立，将充分整合多方优势资源共同发挥积极作用。一方面，沈阳市国资委发挥统筹协调作用，依托其丰富的资源，帮助创新中心对接投资人，为创新中心的发展提供资金支持并营造良好环境；另一方面，公司与其他产业方凭借在半导体设备领域的突出行业地位和深厚的技术优势，为创新中心的发展提供有力支撑。

据介绍，创新中心将基于这些资源和优势的整合，积极响应国家战略发展规划，围绕半导体产业发展趋势布局前沿技术，进一步推动整机装备和零部件企业集聚发展，不断增强产业协同效应和创新能力，助力国家集成电路产业实现高质量发展。

拓荆科技2024年年报预披露日期是4月25日。此前，公司于2月27日晚披露2024年度业绩快报，2024年度公司实现营业收入41.03亿元，同比增长51.7%；实现净利润6.88亿元，同比增长3.91%；扣非净利润3.56亿元，同比增长14.2%。

拓荆科技2024年营业收入之所以能同比增长51.7%主要系市场需求持续增长，公司新产品及新工艺订单陆续实现收入转化，营业收入持续高速增长。2024年度，拓荆科技出货超过1000个设备反应腔，创公司历史年度新高。

（文章来源：证券时报·e公司）