本月初，台积电（TSMC）宣布有意增加1000亿美元投资于美国先进半导体制造。此前台积电已投资了650亿美元在亚利桑那州凤凰城建造先进半导体设施，以此为基础，预计投资总额将达到1650亿美元。该项扩大投资计划包括了三座新建晶圆厂、两座先进封装设施、以及一间主要的研发团队中心，这将是美国历史上最大规模的单项外国直接投资。

据相关媒体报道，台积电在美国亚利桑那州的晶圆厂名为Fab 21，前后花了大概五年时间才完成一期工程，也就是第一间晶圆厂，比起在中国台湾所需要的时间（一般两年）要长得多。不过随着项目的推进，台积电在当地的设施建造速度变得更快。有台积电高管透露，经过痛苦的学习曲线，现在终于知道可以与当地哪些建筑承包商合作建造新厂房，第三座晶圆厂计划今年内开建。

Fab 21的二期工程预计在2026年某个时间点开始试产，采用3nm工艺（N3B、N3E、N3P和N3X等），并于2028年实现大规模生产。第三座晶圆厂如果能加快建造速度，那么2028年就能进入试产阶段，然后在2029年开始批量生产。不过这里还有一个问题，即便台积电能加快施工，但是不一定能按时获得所需的半导体工具，毕竟像ASML这样的设备供应商有着数十亿美元的积压订单。

台积电在亚利桑那州的晶圆厂占地1100英亩，目前聘有3000多名员工，首座晶圆厂于2024年末开始量产。除了凤凰城的新据点外，台积电还在华盛顿州卡默斯设有一座晶圆厂，在德克萨斯州奥斯汀和加利福利亚州圣何塞建有设计服务中心。